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Los 4 tipos más comunes de
memoria son: ROM(memoria de sólo
lectura), EEPROM(memoria de sólo lectura, borrable y
programable eléctricamente) también llamada memoria
“flash”, SRAM(memoria estática de acceso aleatorio) y
DRAM(memoria dinámica de acceso aleatorio).
Terminales de conexión de
dispositivos de memoria
- Conexiones de
dirección: todos los dispositivos de memoria
tienen entradas de dirección que seleccionan una
localidad de memoria en el dispositivo. Las entradas
de dirección casi siempre están etiquetadas desde A0,
la entrada de dirección menos significativa, hasta la
An, donde el subíndice n puede tener cualquier valor
pero siempre es etiquetado como uno menos que le
número totales de terminales de dirección. Por
ejemplo: un dispositivo de memoria de 1K posee
10 terminales de dirección (A0 a A9); esto es, se
requieren 10 entradas de dirección para seleccionar
cualquiera de sus 1024 localidades de memoria.
-
Conexiones de datos: las conexiones de datos son
los puntos en los que los datos son escritos para su
almacenamiento, o de donde son leídos. Son
etiquetadas como Do a Dn. Los catálogos de
dispositivos de memoria frecuentemente hacen
alusión al número de localidades de memoria,
multiplicado por los bits de cada localidad. Por
ejemplo una memoria de 64k x 4 es catalogada como
un dispositivo de 256 K, ya que frecuentemente los
dispositivos de memoria son clasificados
frecuentemente de acuerdo con la capacidad
total de bits.
-
Conexiones de selección: esta(s) selecciona(n) o
habilita(n) al dispositivo. Se conocen como entrada
de selección de dispositivo (CS), habilitación de
dispositivo (CE), o simplemente de selección(S). Si
el dispositivo está activo(0) ,el dispositivo
realiza una operación de lectura/escritura. Si está
inactivo(1), el dispositivo no puede realizar
una lectura o escritura porque está apagado.
-
Conexiones de control:
la entrada de control permite el flujo de
datos desde las terminales de salida de la ROM. Un
dispositivo de memoria RAM tiene ya sea una o dos
entradas de control, está terminal o terminales
seleccionan una operación de lectura o de escritura.
Memoria
ROM
 La ROM
almacena, en forma permanente, programas y datos que
son residentes en el sistema y que no deben cambiar
cuando la alimentación es desconectada. La ROM es
comprada en masa por el fabricante y programado durante
su elaboración en la fábrica.
La EPROM(memoria de sólo lectura, borrable y programable
eléctricamente), un tipo de ROM, es utilizada cuando el
software debe ser cambiado con frecuencia, o cuando la
demanda es demasiado pequeña para que la ROM resulte más
económica. Para que una ROM sea práctica, por lo general
es necesario adquirir cuando menos 10,000 dispositivos
para recuperar el cargo por programación de fábrica. Una
EPROM es programada con un programador de EPROM. También
es borrable si se expone a luz ultravioleta de
alta intensidad por aproximadamente 20 minutos.
La PROM(memoria programable de sólo lectura) también es
programada, pero una vez programada no puede borrarse.
Otro tipo de memoria es la RMM(principalmente lectura),
llamada memoria “flash”. También es conocida como:
EEPROM(memoria de sólo lectura, borrable y programable
eléctricamente), EAROM(ROM alterable eléctricamente) o
NOVRAM(RAM no volátil). Estos dispositivos de memoria
son borrable eléctricamente en el sistema, pero
requieren más tiempo de borrado que una RAM normal.
Diagrama de tiempos. El diagrama de tiempos proporciona
el tiempo que tarda leer la información de la memoria,
desde la aparición de la dirección en las conexiones de
dirección, hasta la aparición del dato en las conexiones
de salida.
DISPOSITIVOS RAM ESTATICOS (SRAM)
 Los dispositivos
de memoria RAM estáticos mantienen los datos mientras
les sea posible aplicado el voltaje de alimentación DC.
Debido a que no es necesario efectuar ninguna acción
(excepto la aplicación de energía) para
retener los datos en estos dispositivos, son llamados
memorias estáticas.
También se les conoce como memoria volátil porque no
retienen datos sin energía. La diferencia principal
entre una ROM y una RAM es que una RAM es
escrita durante la operación normal, mientras que una
ROM es programada fuera de la computadora normalmente
sólo es leída. La SRAM, que almacena
datos temporalmente, es utilizada cuando el tamaño de la
memoria de lectura/escritura es relativamente pequeño.
Actualmente, una memoria es pequeña si tiene menos de
1MB.
Las entradas de control de esta RAM son ligeramente
diferentes a las presentadas con anterioridad la
terminal OE esta etiquetada como G. la terminal CS es S
y la WE es W. a pesar de los cambios en nomenclatura,
las terminales de control funcionan exactamente igual
que las descritas anteriormente. Otros fabricantes
elaboran esta popular SRAM con los número que parte 2016
y 6116.
MEMORIA
RAM DINAMICA (DRAM)
 La
RAM estática de mayor tamaño, disponible actualmente, es
de 128 K x 8. En cambio la RAM dinámica está disponible
en tamaños mucho mayores: hasta 64 M x 1. En todos los
demás aspectos, una DRAM es básicamente igual a
una SRAM, excepto porque retiene los datos por sólo 2 0
4 ms en un capacitor integrado. Después de 2 o 4ms, el
contenido de la DRAM debe de ser completamente reescrito
(refrescado) porque los capacitores, los
cuales almacenan un 0 o 1 lógicos, pierden sus cargas.
En lugar de exigir la tarea casi imposible de leer con
un programa el contenido de cada localidad de memoria y
después reescribirlo, el fabricante ha construido la
DRAM internamente diferente a la SRAM.
En la DRAM, el contenido total de la memoria es
refrescado con 256 lecturas en un intervalo de 2 0 4 ms.
El refresco se efectúa también durante una escritura, la
lectura, o durante un ciclo especial de refresco. En la
sección 10-6 se proporciona mucho más información acerca
del refresco de la DRAM. Otra desventaja de la DRAM es
que requiere tantas terminales de dirección que los
fabricantes han decidido multiplexar las entradas
correspondientes.
Observe que una DRAM de 64 K x 4, la TMS4464, que
almacena 256 Kb de datos. Solo contiene ocho entradas de
dirección, aunque debería contener 16, es decir, el
número requerido para direccionar 64K localidades de
memoria. La única forma en que pueden alojarse 16 bits
de dirección en ocho terminales de dirección es en dos
incrementos de 8 bits.
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